18922924269
語言切換 
中文
HiPIMS電源的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及研究進(jìn)展
HiPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering）是一種物理 氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）技術(shù)，它通過高頻脈沖放電在磁控濺射靶材表面產(chǎn)生強(qiáng)烈的等離子體，從而實(shí)現(xiàn)的材料沉積。HiPIMS技術(shù)的關(guān)鍵在于其電源設(shè)計(jì)，因?yàn)殡娫葱阅苤苯佑绊懙降入x子體密度、薄膜質(zhì)量和沉積速率等重要參數(shù)。
What are the advantages of PECVD protection technology
PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) is a technique for depositing thin films, widely used in semiconductor manufacturing, solar panel production, display manufacturing, and other fields. Compared with traditional CVD (Chemical Vapor Deposition) technology, PECVD has multiple advantages, especially in terms of protection, as follows:
PECVD防護(hù)技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)？
PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積）是一種用于沉積薄膜的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、太陽能電池板生產(chǎn)、顯示器制造等領(lǐng)域。PECVD相比傳統(tǒng)CVD（Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積）技術(shù)具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，特別是在防護(hù)性方面，具體如下：
HiPIMS放電制備純金屬薄膜的優(yōu)勢(shì)
HiPIMS（High-Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）它在制備純金屬薄膜方面展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。下面列舉了一些主要的優(yōu)點(diǎn)：
HiPIMS電源可以沉積氧化物嗎
高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS, High Power Impulse Magnetron Sputtering）是一種薄膜沉積技術(shù)，其特點(diǎn)是使用高功率脈沖對(duì)靶材進(jìn)行激發(fā)，以提高濺射過程的離子化程度和沉積速率。
HIPIMS技術(shù)在金屬雙極板涂層中的應(yīng)用
HIPIMS（High Power Impulse Magnetron Sputtering，高功率脈沖磁控濺射）物理 氣相沉積（PVD）技術(shù)，它通過使用高峰值功率和低占空比的脈沖電源來實(shí)現(xiàn)材料的濺射。
HIPIMS放電等離子體特性
通過脈沖電源產(chǎn)生高密度等離子體來濺射靶材，從而在基材上沉積高質(zhì)量的薄膜。HIPIMS技術(shù)相比于傳統(tǒng)的直流磁控濺射技術(shù)，能夠提供更高的離子化率、更好的薄膜質(zhì)量和更強(qiáng)的薄膜與基底間的附著力。下面我們來探討HIPIMS放電等離子體的主要特性。