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采用脈沖直流PECVD工藝在長(zhǎng)管內(nèi)沉積DLC膜層
管道作為一種流體運(yùn)輸工具，管道內(nèi)表面經(jīng)常暴露在復(fù)雜的介質(zhì)中。這些流體中存在的污染物或腐蝕性元素會(huì)導(dǎo)致管道內(nèi)壁腐蝕破損，每年都會(huì)造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失。
利用HiPIMS制備出的Ti-Si-N薄膜硬度可以達(dá)到66GPa！
Ti-Si-N是被認(rèn)為是一種高硬度的膜層，Veprek（1999）提出了一種結(jié)構(gòu)模型，認(rèn)為是非晶包含納米晶結(jié)構(gòu)。這有點(diǎn)類(lèi)似于我們見(jiàn)到的瀝青和石頭混合路面結(jié)構(gòu)。這里的納米晶尺寸和非晶含量的多少是很講究的。太多不行，太少也不行。
雙極HiPIMS調(diào)控薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的離子能量
高功率脈沖磁控濺射技術(shù)（HiPIMS）相比傳統(tǒng)直流磁控濺(DCMS)，HiPIMS具有高等離子體密度、高金屬離化率，更高的離子流密度。但對(duì)于優(yōu)異的薄膜生長(zhǎng)來(lái)說(shuō)，僅有高離子流密度還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，為獲得更快的生長(zhǎng)速率與致密的膜層質(zhì)量，到達(dá)基底的離子能量也至關(guān)重要。
HiPIMS脈沖波形對(duì)輝光放電特性的影響
HiPIMS電源屬于脈沖電源的一種，通過(guò)降低占空比到低于10%，在相同功率情況下，可以使得磁控濺射峰值電流三個(gè)數(shù)量級(jí)的增加，本文將介紹脈沖波形對(duì)于輝光放電特性的影響，為控制不同靶材輝光特性及工藝優(yōu)化提供參考。
雙極HiPIMS調(diào)控生長(zhǎng)高致密性銅薄膜
正如前文“雙極HiPIMS調(diào)控薄膜生長(zhǎng)過(guò)程中的離子能量”中我們講到對(duì)于HiPIMS放電在負(fù)向脈沖放電完成后加一定正向脈沖，可以提高HiPIMS放電后的等離子體電勢(shì)，從而加速到達(dá)基底的離子的能量，提高薄膜生長(zhǎng)速率與質(zhì)量。
管筒內(nèi)壁真空鍍膜方法簡(jiǎn)介
管筒內(nèi)表面處理的方式最早采用的是電鍍方法，但電解液污染環(huán)境。后來(lái)采用真空鍍膜方法來(lái)處理管狀構(gòu)件內(nèi)表面，包括化學(xué)氣相沉積( Chemical Vapor Deposition，CVD)和物理氣相沉積( Physical Vapor Deposition，PVD)。
六甲基二硅氧烷（HMDSO）前驅(qū)體制備耐腐蝕薄膜
金屬制品是生活中不可或缺的，大到輪船飛機(jī)，小到鐵釘螺絲?，F(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展，是以金屬為骨骼，但是金屬在使用過(guò)程中極易腐蝕。防腐蝕工藝有很多種，真空鍍膜就是其一。